甘肃大头硅碳棒批发零售

我们一般在对螺旋硅碳棒进行检测，主要是要保证它的使用效果，因为不合格的不仅不能达到很好的效果，甚至会影响正常的生产作业，在检测过程中需要做到的是： 　　1、细记录电流表数据和温控表的输出百分比。 　　2、炉温稳定在某一温度时，若螺旋硅碳棒断棒，则仪表的输出百分比较前一时间段会加大，电流表显示电流会减小。 　　3、比同温区的内外两组硅碳棒电流值和仪表输出百分比，在同样输出百分比的情况下，内阻电流应接近于外组电流的一半。 　　4、同温区甚至不同炉子做比较，温度相同时对比其温控表的输出百分比和电流值，内组和内组做比较，外组和外组做比较，温控表相同百分比输出的情况下，电流应基本一致。 　　5、以观测炉膛，看有没有黑环，若有明显黑环，断棒可能性比较大。 　　正常的情况是，随着螺旋硅碳棒的老化，其阻值会增大，在同一输出百分比的情况下电流值会减小，所以要注意检测过程中电流的变化。奥翔硅碳提供周到的解决方案，满足客户不同的服务需要。甘肃大头硅碳棒批发零售

形式各样的硅碳棒产品 　　硅碳棒在连续式窑炉与间歇式窑炉中都有应用，因为良好的使用性能，它的使用范围也是越来越广，相应的顺应使用的要求，硅碳棒厂家也在不断开发新的形式的硅碳棒，便于厂家的选购，其中常见的有： 　　山型硅碳棒：主要用于一些浮法玻璃锡槽上，光学玻璃熔化，玻璃深加工，可控气氛电炉等。 　　门型：具有控温精度高，接线方便，温差小等优点，因此适用于大型箱式炉、台车炉的炉底或两侧的加热。 　　U型：用于需要单端接线的窑炉，常用于推板炉、箱式炉、台车炉及其他周期性电炉中。 　　***型：适用于加工玻璃的制品的料盆。 　　H型：常用于玻璃行业的供料道、料盆段的加热的保温。 　　异型：具有提温速度快、节能、环保等优点，因此用于坩埚式熔铝炉等电炉。 　　值得注意的是所有所以硅碳棒在使用中表面氧化生成二氧化硅的薄膜，长时间使用的使二氧化硅皮膜增加，硅碳棒阻值也随之的增加，所以在使用的时候要尽量不要让硅碳棒表面温度过高，并且要缩小炉膛温度与硅碳棒温度之差。甘肃异型硅碳棒电阻奥翔硅碳愿和各界朋友真诚合作一同开拓。

硅碳棒的因为其稳定的效果被普遍的使用与电炉中，可以比较稳定的提供热源，那么从电学来看它是怎样应用的呢？ 　　硅碳棒是在碳化硅sic棒中通电，加热到1000℃左右，用于1 -25微米，波长范围的红外光源，一般销售的硅碳棒在直径6.2毫米、长度100毫米的棒的**设置直径为6.2毫米、长度为20毫米的热辐射区域，这种硅碳捧能得到与同一温度的黑体辐射相当接近的热辐射，平均光谱发射率可达0.88左右，输入功率130瓦（电压11伏，电流12安）时，能得到1000K的分布温度。 　　硅碳棒是简便的红外光源，作为光声光谱用的光源，其辐射束强度低1个数量级以上，为此，输入功率更高，并在高温下工作的白炽碳棒被用作光声光谱的光源。

硅碳棒安装需要注意的几个方面 一、选用硅碳棒电热元件，必须保证元件的发热部长度不大于炉膛的宽度。 　　二、在使用元件时应选用合理的表面负荷，选择此负荷应视元件的使用温度和环境气氛而定。 　　三、硅碳棒电热元件的电阻是1050摄氏度，温度下测定的，在安装中应按元件的电阻进行装配。 　　四、炉膛两侧的安装孔一般为元件冷端部直径的1.5倍，且两孔同心，孔与孔之见距离不小于元件直径的3倍，元件安装后，应能转动，元件端头之间接线应以软线链接，元件与壁炉，被烧物的距离不小于元件直径的2倍。 　　五、使用硅碳棒电热元件，应配备调压装置，以保证棒在使用中电阻老化之后能获得相应的功率，棒因断裂或老化需要更换，尽可能做到高温阻值匹配，均担负荷，保证使用寿命。 　　六、新建成或久未使用的窑炉在使用之前，应采用其它热源或已老化的元件烘干窑炉。 　　七、硅碳棒电热元件硬而脆，在搬运验收安装中要轻拿轻放，在干燥通风处保存，以防喷铝处氧化潮解。公司地理位置优越，拥有完善的服务体系。

硅碳棒在连续式窑炉与间歇式窑炉中，前者的寿命较长。硅碳棒在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜，长时间使用使二氧化硅皮膜增加，硅碳棒阻值也随之增加。二氧化硅薄膜在结晶临界点（270℃）附近发生异常膨胀、收缩。因在间歇式窑炉中间断使用总在此温度上下浮动，所以反复破二氧化硅薄膜，加速氧化。因此停电炉温降至室温时经常急剧增加电阻。 如果硅碳棒阻值不同，串联时电阻高的硅碳棒负荷较集中，易导致某一根硅碳棒的电阻快速增加，寿命变短。硅碳棒一般是串、并联接线结合使用。建议采用2根串联为一组后多组并联。特别当炉内温度超过1350℃时必须并联。三相接线时建议使用开放三角形接线。奥翔硅碳以发展求壮大，就一定会赢得更好的明天。甘肃大头硅碳棒夹具

公司狠抓产品质量的提高，逐年立项对制造、检测、试验装置进行技术改造。甘肃大头硅碳棒批发零售

一般在制作硅碳棒时的次烧结，都是将碳化硅生料和沥青、焦油等粘合剂搅拌均匀，并用挤压机挤压成型，然后在隧道窑中直接进行烧结，这种做法会有一定的缺点。现在给大家介绍一下新的制作工艺。 　　新的工艺在次烧结时是将挤压成型的胚件，放在真空容器里，抽真空到20~50毫米汞柱，然后以每分钟5~10摄氏度的升温速度，从常温升到350摄氏度，在350摄氏度保温30分钟，使胚件各部位均匀的达到此温度，再以每分钟10摄氏度的速度升温至920摄氏度，在920摄氏度时保温30分钟，可以将残留的掺合物杂质排清，得到较为理想的硅化碳烧结物。这种烧结方法在粗真空中进行，各种杂质成分易挥发，一次残留的杂质少。 　　第二次烧结式的原理是在碳化硅胚料的周围用碳化硅粉末包围起来，围用其他埋料，这样在高温时不仅形成还原性气氛，而且使碳化硅胚料表面与新生成的碳化硅分子隔离开来，隔离物是碳化硅埋料，新生成的碳化硅分子与碳化硅埋料起作用，而保护了里面的碳化硅。 　　新的工艺简单操作而且将硅碳棒的杂质尽可能的减少，提高了产品的性能。同时在质量上又是一个新的提升。提高了整体的品质与使用年限。甘肃大头硅碳棒批发零售

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