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时间:2022年08月13日 来源:

    r1至r8各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。此外,m为2至5的整数,n为1至3的整数,以及m+n小于或等于6。例如,延迟荧光掺杂剂152可以选自式2。[式2]延迟荧光掺杂剂152可以由式3表示。[式3]在式3中,r1至r8各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。此外,a和b分别由式3-1和式3-2表示。r9至r11各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。[式3-1][式3-2]例如,式3的延迟荧光掺杂剂152可以选自式4。[式4]磷光掺杂剂154可以由式5表示。[式5]在式5中,r1至r4各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺,以及r1与r2或r2与r3或r3与r4结合形成稠合的c6-c30芳族环。此外,n为1至3的整数。例如,磷光掺杂剂154可以选自式6。[式6]相对于延迟荧光掺杂剂152,磷光掺杂剂154的重量百分比等于或小于约5%。例如,磷光掺杂剂154相对于延迟荧光掺杂剂152的重量百分比可以为约%至%,并且推荐约%至%。尽管未示出,但eml150还包含基质。在eml150中。捷捷微二极管原装现货。广州进口二极管专卖店

    良好校准数据表为所述发光二极管的初始温度值和所述初始电压值统计表;获取发光二极管的电流值,依据所述第二压差值和所述电流值,调用预存储的第二校准数据表进行第二对比,第二校准数据表为所述发光二极管的初始压差值和初始电流值统计表,在所述第二对比的结果不符合预设阈值的情况下,发送报警信息。在其中一个实施例中,所述获取发光二极管电流值包括:获取脉冲调制pwm信号,依据所述pwm信号和预设的最大电流值,确定所述电流值。在其中一个实施例中,所述获取发光二极管的良好压差值包括:通过运算差分电路接入所述发光二极管的两端,获取所述发光二极管的良好压差值。在其中一个实施例中,所述获取发光二极管温度值包括:获取所述发光二极管周围的热敏电阻ntc的阻值,依据温度阻值曲线图获取所述热敏电阻ntc的第二温度值,依据所述热敏电阻ntc的第二温度值确定所述发光二极管的所述良好温度值。根据本发明的另一个方面,还提供了一种发光二极管的控制系统,所述系统包括:发光二极管、驱动板、电压采集电路、温度采集电路和微控制器;所述温度采集电路获取所述发光二极管良好温度值,并发送给所述微控制器;所述电压采集电路获取所述发光二极管的良好压差值。武汉贴片二极管代理商乐山整流二极管原装现货。

    其漏极连接十一pmos管、十三pmos管、十五pmos管和十七pmos管的栅极以及四电阻的一端;七nmos管的漏极连接五nmos管的源极,其源极连接八nmos管、三nmos管和四nmos管的源极并接地;十pmos管的栅极连接十二pmos管、十四pmos管和十六pmos管的栅极、十一pmos管的漏极和四电阻的另一端,其源极连接十二pmos管、十四pmos管和十六pmos管的源极并连接电源电压,其漏极连接十一pmos管的源极;十二pmos管的漏极连接十三pmos管的源极,十四pmos管的漏极连接十五pmos管的源极,十六pmos管的漏极连接十七pmos管的源极;十八pmos管的栅极作为所述一运算放大器的正相输入端,其源极连接十九pmos管的源极和十三pmos管的漏极,其漏极连接一nmos管的源极和三nmos管的漏极;十九pmos管的栅极作为所述一运算放大器的反相输入端,其漏极连接二nmos管的源极和四nmos管的漏极;三nmos管的栅极连接四nmos管的栅极以及十五pmos管和一nmos管的漏极;二nmos管的栅极连接一nmos管的栅极以及一偏置电压,其漏极连接十七pmos管的漏极并作为所述一运算放大器的输出端。本发明的有益效果为:本发明提出的雪崩光电二极管偏压调节电路利用运放在像素外构建偏置电压产生电路。

    所述有机发光二极管在基板上或在基板上方并且包括电极、面向电极的第二电极、以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置在电极与第二电极之间的发光材料层;以及布置在基板与有机发光二极管之间并与有机发光二极管连接的薄膜晶体管,其中磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5%。在另一方面,照明装置包括:基板;和有机发光二极管,所述有机发光二极管在基板上或在基板上方并且包括电极、面向电极的第二电极、以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置电极与第二电极之间的发光材料层,其中磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5%。根据本发明的一方面,磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于约%、或者等于或小于约%。根据本发明的一个方面,磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或大于约%、或者等于或大于约%。根据本发明的一方面,有机发光二极管、有机发光显示装置或照明装置的fwhm在可见光范围内或在450nm至750nm、或500nm至700nm、或500nm至650nm的范围内等于或大于约55nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm或甚至150nm。根据本发明的一方面。乐山开关二极管原装现货。

    ex4)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:30重量%,磷光掺杂剂:%)7.实施例5(ex5)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:30重量%,磷光掺杂剂:%)8.实施例6(ex6)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:30重量%,磷光掺杂剂:%)9.实施例7(ex7)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:30重量%,磷光掺杂剂:%)10.实施例8(ex8)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:20重量%,磷光掺杂剂:%)11.实施例9(ex9)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:20重量%,磷光掺杂剂:%)12.实施例10(ex10)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:40重量%,磷光掺杂剂:%)13.实施例11(ex11)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%。东莞捷捷微二极管代理商公司。无锡二极管代理

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    图4是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图二,如图4所示,该系统还包括报警电路21,所述报警电路21与所述微控制器15电性连接,在所述第二对比的结果超出第二校准数据表的合理范围的情况下,所述微控制器15发送报警信号给所述报警电路21,所述报警电路21进行报警,该报警电路21可以为发光设备的灯光报警,也可以是发声设备的声音报警。在一个实施例中,该驱动板12与该发光二极管11连接,微控制器15控制该驱动板15给该发光二管11输出电流的大小,该微控制器15可以设置一个变化的电流值范围,驱动板12将变化的电流值输出给该发光二极管11,该微控制器15也可以输出不同占空比的pwm信号,依据该pwm信号和预设的最大电流值,确定该驱动板12输入给该发光二极管11的该电流值,确定的过程包括:输出电流=pwm占空比*设置的最大电流,实现发光二极管11电流的精细控制。在一个实施例中,在该电压采集电路13是运算差分电路的情况下,通过运算差分电路接入该发光二极管11的两端,获取该发光二极管11的压差值。例如,图5是根据本发明实施例的运放差分输入电路的示意图,如图5所示,该发光二极管11两端的电压分别为v1和v2,输出的电压vout如公式1所示:当r1=r3。广州进口二极管专卖店

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