北京低功耗30V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片定制

220V降压3.3V瞬间450mA电流，专门针对WIFI模块供电设计的芯片，满足各种应用要求，低待机功耗：芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP35026集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护、输出过压保护、逐周期电流限制、异常过流保护、过热保护和过载保护等。主要特点•固定输出3.3V•快速动态响应，满足WIFI供电要求•空载待机功耗低于20mW•集成续流二极管•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•比较高45kHz开关频率•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•异常过流保护(AOCP)•输出过压保护(OVP)•过温保护(OTP)•封装类型SOP-4。内置开关频率限制 （16kHz-125kHz），可以有效抑制音频噪声和降 低开关损耗。北京低功耗30V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片定制

低功耗18V降压DCDC芯片，采用SOT23-6封装的4.5V至17V输入、2A输出、600kHz同步降压转换器KP52220XA是一种简单易用、高效集成的同步降压转换器。它具有4.5V到17V的宽输入电压范围，非常适合于12V和15V等各种常见的输入电压轨。它支持高达2A的持续输出电流，输出电压范围为0.768V至7V。KP522201A轻载工作在脉冲频率调制模式(PFM)下以维持高轻载效率；KP522208A工作在强制脉宽调制模式(FPWM)下以实现全负载电流下固定的开关频率和低输出纹波。KP52220XA集成了完善的保护功能，包括输入欠压保护(UVLO)，逐周期谷底限流保护(OCL)，输出欠压打嗝保护(UVP)，输出过压保护(OVP)和过温保护(OTP)，以确保其在不同的工作条件下保持安全、可靠运行。KP52220XA采用小尺寸的SOT23-6封装，工作结温范围为-40℃到125℃。上海低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片价格芯片供电管脚，用于能量存储，串接一电容到地后将输入能 量传递至LDO 输出级。

输出电容选择：对于常规的5V-100mA规格，输出电容根据实际纹波电压需求选择100uF-220uF即可。假负载选择：需在空载输出电压和待机损耗上折中：即过大的假负载可以压制空载输出上飘电压，但系统待机损耗也随之加大；而过小的假负载则反之。一般而言，芯片系统推荐假负载阻值范围在1-2k范围内(随输出电压调整)，假负载损耗控制在10-15mW左右即可。内集成有4ms(典型值)周期的软启动功能，当芯片***次启动时过流保护阈值逐渐增加，而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。

40V降压DCDC低功耗电源芯片，主要特点•用于条件严苛的工业应用•输入电压范围：6V~40V•1A持续输出电流•100%比较大占空比可实现**压降•支持预偏置输出软启动•输出过压/欠压保护•输入过压保护/欠压锁定•过温保护•±1%输出电压精度•方案小巧且易于使用•集成270mΩP型高侧MOSFET•集成135mΩN型低侧MOSFET•内置补偿电路•内置软启动电路•固定5V输出(KP521405,KP521405A)•固定3.3V输出(KP521403,KP521403A)•为家电应用优化设计•可实现单层PCB布局•低开关速率减轻EMI问题典型应用•白电，小家电•电动工具•智能照明•通用宽输入电压轨在实际 工作中，系统开关频率取决于负载状态以及VDD 电压与输出电压基准的高低，所以系统工作在调频 模式中。

芯片BST 引脚和 SW 引脚间需要加入一颗陶瓷电容以稳定支撑芯片内部高侧N-MOSFET 的驱动电源。此处推荐使用不低于10V 耐压的 X5R 或者 X7R 的 0.1μF 陶瓷电容(0603 封装)。采用 COT 控制架构可以实现超快的负载瞬态响应性能。在某些对负载瞬态响应要求更高的应用条件下，还可以通过在输出反馈分压电阻上添加前馈电阻RFF 和电容CFF 来进一步提升瞬态响应性能。考虑到噪声耦合影响，推荐使用RFF = 2 kΩ~10kΩ，另外不要使用高于100pF 的 CFF。注意，实际RFF 和 CFF 为可选器件，推荐以实测负载瞬态响应和输出调整率的结果优化选取。反馈输入管脚，该引脚悬空时默认 12V 输出。重庆低功耗150V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片库存

为了避免开通瞬间的 干扰， 芯片内设计有前沿消隐电路（ 典型值 300ns）。北京低功耗30V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片定制

芯片内部**小Toff时间固定为32us，同时为了优化系统EMI系统还带有±5%范围的抖频功能。在实际工作中，系统开关频率取决于负载状态以及VDD电压与输出电压基准的高低，所以系统工作在调频模式中。芯片内部差分采样电路采样流经高压MOS电流的压差作为内部过流比较器的输入。当过流比较器翻转时高压MOSFET关断直至下一个周期重新开通。为了避免开通瞬间的干扰，芯片内设计有前沿消隐电路(典型值400ns)，在此时间内过流比较器不翻转且高压MOSFET不允许关断。北京低功耗30V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片定制

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