北京可控硅电源厂家
智能可控硅模块具有相当不错的智能水平和适应性,因此这种晶闸管模块也能够充分适应电气控制系统的应用需要。在直流电机调速方面,单个的智能可控硅模块可组成一不可逆双闭环直流调速器,两个模块可以组成一可逆四象限运行的调速器。除此之外,可控硅智能模块在电源和控制方面更有着普遍的应用,在加速器稳压稳流电源设计中也时常能够看到它的身影。各种类型的可控硅集成模块的用途可控硅集成模块在现代电气行业的发展中发挥着非常重要的作用,它也分为很多类型,每个类型都有着不用的用途,下面正高电气来给你介绍些各种类型的可控硅集成模块的用途。1、普通的可控硅模块。应用于各种电力半导体厂家,并使用效果非常突出。2、双向可控硅。这种可控硅模块典型的特点就是可以使用正的或者负的控制极脉冲,控制两个方向电流的导通,所以,双向可控硅模块经常被用于交流控制电路,像温度控制、灯光调节以及直流电极调速和换向电路等。3、快速可控硅模块。这种可控硅模块可以用于工作频率较高的情况下,所以,被用在大功率直流开关、电脉冲加工电源、激光电源和雷达调制器等电路中。4、逆导可控硅模块。逆导可控硅模块主要应用于直流供电车辆的调速,比如说无轨电车会用到。淄博正高电气重信誉、守合同,严把产品质量关,热诚欢迎广大用户前来咨询考察,洽谈业务!北京可控硅电源厂家
不是一触即通,只有当可控硅的阳极电流即主回路电流上升到可控硅的擎住电流IL以上时,管子才能导通,所以触发脉冲信号应有一定的宽度才能保证被触发的可控硅可靠导通。例如:一般可控硅的导通时间在6μs左右,故触发脉冲的宽度至少在6μs以上,一般取20~50μs,对于大电感负载,由于电流上升较慢,触发脉冲宽度还应加大,否则脉冲终止时主回路电流还未上升到可控硅的擎任电流以上,则可控硅又重新关断,所以脉冲宽度下应小于300μs,通常取1ms,相当广50Hz正弦波的18电角度。二、触发脉冲的型式要有助于可控硅触模块发电路导通时间的一致性对于可控硅串并联电路,要求并联或者串联的元件要同一时刻导通,使两个管子中流过的电流及或承受的电压及相同。否则,由于元件特性的分散性,在并联电路中使导通较早的元件超出允许范围,在串联电路中使导通较晚的元件超出允许范围而被损坏,所以,针对上述问题,通常采取强触发措施,使并联或者串联的可控硅尽量在同一时间内导通。三、触发电路的触发脉冲要有足够的移相范围并且要与主回路电源同步为了保证可控硅变流装置能在给定的控制范围内工作,必须使触发脉冲能在相应的范围内进行移相。潍坊可控硅智能模块淄博正高电气以满足客户要求为重点。
然后感应电压一次次放电直到感应电压低于放电所必须的电压为止,在这一过程中将产生极大的脉冲束。以上,便是可控硅模块厂家给大家整理的如何避免可控硅模块缺点的信息,希望对大家有所帮助!提起可控硅,相信大家都不陌生,它是一种大功率的电器元件,在自动控制系统中,可以作为大功率驱动器件来使用。在可控硅的基础上发展后,就形成了所谓的双向可控硅。双向可控硅不能代替两只反极性并联的可控硅,比普通的可控硅更简单的是,它只需要一个触发电路就能实现,这是比较理想的交流开关器件。尽管从形式上可将双向可控硅看成两只普通可控硅的组合,但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。小功率双向可控硅一般采用塑料封装,有的还带散热板。双向可控硅属于NPNPN五层器件,三个电极分别是T1、T2、G。因该器件可以双向导通。双向可控硅由于正、反向特性曲线具有对称性,所以它可在任何一个方向导通。双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成,工作原理与普通单向可控硅相同。耐压级别的选择:通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。电流的确定:由于双向可控硅通常用在交流电路中。
连接位置可在交流侧或直流侧,额定电流在交流侧,通常采用交流侧。过电压保护通常发生在有电感的电路中,或交流侧有干扰的浪涌电压或交流侧暂态过程产生的过电压。由于过电压峰值高、动作时间短,常用电阻和电容吸收电路来控制过电压。控制大感性负载时的电网干扰及自干扰的避免在控制较大的感性负载时,会对电网产生干扰和自干扰。其原因是当控制一个连接感性负载的电路断开或闭合时,线圈中的电流通路被切断,变化率很大。因此,在电感上产生一个高电压,通过电源的内阻加到开关触点的两端,然后感应到电压应该一次又一次地放电,直到感应电压低于放电所需的电压。在这个过程中,会产生一个大的脉冲光束。这些脉冲光束叠加在电源电压上,并将干扰传输到电源线或辐射到周围空间。这种脉冲幅度大,频率宽,开关点有感性负载是强噪声源。1.为了防止或者是降低噪音,移相的控制交流调压常用的方法就是电感的电容滤波电路以及阻容阻尼电路还有双向的二极管阻尼电路等等。2.另一种防止或降低噪声的方法是利用开关比来控制交流调压。其原理是在电源电压为零时,即控制角为零时,利用过零触发电路控制双向晶闸管模块的通断。这样,可以在负载上获得完整的正弦波。淄博正高电气的企业理念是 “勇于开拓,不断创新,以质量求生存,以效益促发展”。
用螺旋双线或屏蔽线,。门极和MT1间加电阻1kΩ或更小,高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法,选用H系列低灵敏度双向可控硅。规则5若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起问题,在MT1和MT2间加入RC缓冲电路。若高dICOM/dt可能引起问题,加入一几mH的电感和负载串联。另一种解决办法,采用Hi-Com双向可控硅。准则6假如双向可控硅模块的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出,采用下列措施之一:负载上串联电感量为几μH的不饱和电感,以限制IT/dt;用MOV跨接于电源,并在电源侧增加滤波电路。准则7选用好的门极触发电路,避开3+象限工况,可以限度提高双向可控硅模块的dIT/dt承受能力。准则8若双向可控硅模块的dIT/dt有可能被超出,负载上串联一个几μH的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法:对电阻性负载采用零电压导通。准则9器件固定到散热器时,避免让双向可控硅模块受到应力。固定,然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。准则10为了长期可靠工作,应保证Rthj-a足够低,维持Tj不高于Tjmax,其值相应于可能的环境温度。以上就是可控硅模块的使用准则,正确使用,既能延长可控硅模块的使用寿命,又能保证可控硅模块的稳定运行。淄博正高电气始终秉承“品质、锐意进取”的经营理念。济南可控硅模块厂家
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