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    正向导电，反向不导电）晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当产生正向电压偏置时，外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流（也就是导电的原因）。当产生反向电压偏置时，外界电场与自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0（这也就是不导电的原因）。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。二极管原理反向击穿编辑反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时。 变容二极管（VaricapDiode）则用来当作电子式的可调电容器。北京哪里有艾赛斯IXYS二极管模块推荐货源

    或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。2、肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N外延层（砷材料）、N型硅基片、N阴极层及阴极金属等构成。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。肖特基对管又有：共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式。3、常用的肖特基二极管常用的有引线式肖特基二极管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200等型号。也就是常说的插件封装。 四川哪里有艾赛斯IXYS二极管模块哪里有卖的甲半导体二极管，常用的类型的，是一个晶体具有连接到两个电气端子的pn结的半导体材料。

    肖特基二极管(SBD)是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD)的简称，是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的半导体器件。肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件，它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。新闻网页微信知乎图片视频明医英文问问百科更多>>登录帮助首页精彩百科知识图谱城市百科抗战百科高校百科任务任务中心用户蜜蜂团领域小组热词团公益百科积分商城个人中心添加义项同义词收藏分享分享到QQ空间新浪微博人人网肖特基二极管编辑词条肖特基二极管（SBD）是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称，是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的半导体器件。肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件，它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

    [4]二极管大整流电流大整流电流是指二极管长期连续工作时，允许通过的大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141℃左右，锗管为90℃左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管大整流电流值。[4]二极管高反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了高反向工作电压值。[4]二极管检测方法编辑二极管小功率晶体二极管1.判别正、负电极（1）观察外壳上的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。[7]（2）观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。[7]（3）以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。(d)观察二极管外壳，带有银色带一端为负极。[7]2.检测高反向击穿电压。对于交流电来说，因为不断变化，因此高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。 产品扩充到大功率的盘状可控硅二极管,压接式IGBT,固态继电器,电源管理IC,RFMOSFET及其驱动。

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当二极管两端的反向电压达到称为击穿电压的值时，二极管对反向流动的高电阻突然降至低电阻。北京哪里有艾赛斯IXYS二极管模块推荐货源

    肖特基，肖特基二极管，肖特基模块一、知识点肖特基SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的，因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。SBD的主要优点包括两个方面：1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低）。2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，比较高约100V，以致于限制了其应用范围。二、产品介绍1.规格本公司引进美国onsem（安森美）公司的质量芯片，采用特殊的封装工艺生产出YF系列共阴肖特基二极管模块，具有损耗、超高速、多子导电、大电流、均流效果好等优点。特别适合6V～24V高频电镀电源，同等通态条件下比采用快恢复二极管模块，底板温度低14℃以上。 北京哪里有艾赛斯IXYS二极管模块推荐货源