北京KP1054A必易非隔离恒流驱动技术支持

同时要注意的是，铝电解电容器会在不同应用条件下出现的故障模式，例如短路、开路、漏液、静电容量减少tanδ增加、防爆阀打开以及漏电流增大，而造成这些故障模式的原因又可分为一系列制造原因与使用原因，铝电解电容的失效率比较高问题应当值得重视，所以选型就尤为重要。因此，我们要从中分析应用中的电容和元器件，并选择合适的铝电解电容以及“心脏”器件驱动芯片，才能控制电容所受的应用力、工作温度，让性能发挥更强大的作用。围绕这些基础需求，为小伙伴带来选型参考。基本的恒流源电路主要是由输入级和输出级构成！北京KP1054A必易非隔离恒流驱动技术支持

高集成、高效率、降压型恒流驱动功率开关KP1059A是一款内部高度集成的降压型准谐振式LED恒流功率开关。KP1059A集成有高压功率MOSFET、600V续流二极管、800V整流桥和控制器。此外，芯片还集成有高压启动电路和无需辅助绕组的电感电流过零检测电路，利用此功能系统工作在准谐振模式下并且很大程度地简化系统的设计。KP1059A集成有完备的保护功能以保障系统安全可靠的运行，如HVDD欠压保护功能、逐周期电流限制、过热保护、LED短路保护等。主要特点•集成高压500VMOSFET•集成600V超快恢复二极管•集成800V整流桥•集成式高压稳压器•无辅助绕组、无VDD电容设计•准谐振工作模式提高系统效率•±4%恒流精度•**工作电流•集成式线电压补偿优化调整率•集成式过热功率补偿•内部保护功能:•LED短路保护•芯片过热保护•逐周期电流限制•前沿消隐•HVDD脚欠压保护•封装类型ASOP-7北京KP1059A必易非隔离恒流驱动定制非隔离恒流芯片有什么优势？

在每次功率MOSFET导通的瞬间，都会在采样电阻两端电压与内部过流比较器进行比较控制输出电流。但在MOSFET导通瞬间也会产生由MOSFET寄生电容和续流二极管反向恢复电流造成的电压尖峰。为了避免驱动信号错误关断，芯片内部设计有前沿消隐时间。在此时间内部(典型值500ns)，内部PWM比较器停止工作以保证驱动信号稳定导通。KP1079XWP集成650V高压供电电路，功率MOSFET的栅极驱动直接通过高压供电电路供电，无需外置VDD电容。同时内部集成有高压500V功率MOSFET、600V超快恢复二极管、800V整流桥和高压自供电电路，简化了系统的设计和生产成本。

在传统的小家电产品（如小风扇、直发器、电动剃须刀等）中，有很多小家电由于体积、成本等原因，电源方案多采用阻容降压的方案。阻容降压虽成本便宜，但其具有天生的缺点：1)阻容降压采用CBB电容在工频下的阻抗限流，通过稳压管来得到输出电压，由于限流恒定，在待机时，需要把这部分能量消耗掉，否则输出电压会不稳定。2)如果输入出现杂波，则CBB相当于短路，有可能造成电流突变，直接烧掉后面器件。3)CBB电容使用时间长之后衰减，导致使用寿命短。KP3310不仅完全解决了上述问题，还能得到更好的输出性能，**为关键的是成本也能做到跟阻容降压接近。提供必易全系列产品，原厂质量，技术支持！

KP1079X系列典型系统规格（5~7）W/150mA输入电压：90Vac~264Vac输出电压：20V~90V输出电流：150mA恒流精度：<±3%输出功率：5W~15W效率：>=90%拓扑结构：非隔离BUCK，优势：**简单，成本低。集成二极管，桥堆。高压自供电技术无需VCC电容和启动电阻。芯片是双晶元的，满足2500V雷击要求。输出电流可调，外置OVP。主要特点：集成800V整流桥◼集成600V超快恢复二极管，无VCC电容、无启动电阻，集成高压供电功能◼外置防潮OVP功能◼低母线电压下不闪灯，多灯并联无闪烁现在中小功率主要以非隔离恒流驱动为主！江苏KP10751必易非隔离恒流驱动加工

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减少开关电源本身的干扰：软开关技术，在原有的硬开关电路中增加电感和电容元件，利用电感和电容的谐振，降低开关过程中的du/dt和di/dt，使开关器件开通时电压的下降先于电流的上升，或关断时电流的下降先于电压的上升，来消除电压和电流的重叠。开关频率调制技术，通过调制开关频率fc，把集中在fc及其谐波2fc、3fc…上的能量分散到它们周围的频带上，以降低各个频点上的EMI幅值。元器件的选择，选择不易产生噪声、不易传导和辐射噪声的元器件。通常特别值得注意的是，二极管和变压器等绕组类元器件的选用。反向恢复电流小、恢复时间短的快速恢复二极管是开关电源高频整流部分的理想器件。北京KP1054A必易非隔离恒流驱动技术支持