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    1．有极性电解电容器并联电路SA301E104ZAR图3-35所示是有极性电解电容器并联电路，两只电容器的正极与正极相连，负极与负极相连，它们并联后还是一个有极性电解电容器，其容量为两只电容器的容量之和。2．有极性电解电容器逆串联电路有极性电解电容器逆串联主要是为了得到一个无极性的电解电容器。图3-36所示是有极性电解电容器逆串联电路，逆串联电路有两种：图3-36(a)所示是两个电容器的正极相连，无论哪种逆串联电路，其电路效果是一样的，逆串联后都等效成一个无极性的电解电容器，如图3-36(c)所示，等效电容器其容量减小，耐压升高。有极性电解电容器逆串联之后，原先有极性的引脚就没有极性了，这样串联后的电容器可以作为无极性电解电容器来使用。在一些扬声器分频电路中就常用这种电路，如图3-37所示。但这样的无极性电解电容器的性能没有真正的无极性电解电容器的好。3．有极性电解电容器顺串联电路SA48A图3-38所示是有极性电解电容器的顺串联电路。电路中，Cl和C2均是有极性的电解电容器，电容器Cl的负极与电容器C2的正极相连，这种串联方式称为有极性电解电容器的顺串联。有极性电解电容器顺串联之后，仍等效成一只有极性的电容器c，其极性见图3-38。因为氧化膜有单向导电性质，所以电解电容器具有极性。北京充气氮气电容器智能化&泛在物联网

    这对于mems组件尤其重要，因为实施例的结构化层131没有如在现有已知方法中的任何台阶。在现有已知方法中，如果厚金属(大于1μm)被放置在晶片的表面上，这会引起mems组件的结构化层的台阶，并且随后从而潜在地引发问题。因为针对尤其是底电极的厚金属化，rf功率处理也被好地改进。因此，实现更高的品质因子(q)意味着更低的电阻损耗，以及与现有已知方法相比更容易的后加工。此外，由于光滑的底电极120，在电介质层140中不存在台阶覆盖的问题，以及在结构层131中不存在台阶。这产生了更高的电压和功率处理。一般而言，memsrf开关具有优于传统半导体开关的性能优点。例如，当开关开启时，memsrf开关提供极其低的插入损耗，并且当开关断开时展现了高的衰减水平。与半导体开关相反，memsrf开关具有非常低的功耗和高频水平(大约70ghz)。在实施例中，memsrf开关具有mim(金属/绝缘体/金属)结构，即，绝缘体/电介质层140被夹在两个电极120、130之间。因此，当偏置电压施加到memsrf开关(例如，在驱动电极150、151或电极120、130上)，开关作用为电容器，允许ac信号从中经过。在实施例中，图2示出memsrf开关200的截面图。memsrf开关300包括衬底110、电极120、绝缘体。贵州电容器质保3年寿命15年使用时间长两个相互靠近的导体，中间夹一层不导电的绝缘介质，这就构成了电容器。

    q)。电极120金属化的顶表面121可以被抛光/平坦化生成光滑的顶表面。这对于mim电容器组件尤其重要，因为电介质层140则没有如在现有已知系统中的台阶覆盖问题。在现有已知方法中，如果厚金属(大于1μm)被放置在晶片的表面上，这会引起电介质层140的台阶以嵌入电极120。由于经抛光且光滑的表面，该实施例的mim电容器的击穿电压也比传统的mim电容器的击穿电压更高。因为针对尤其是底电极的厚金属化，rf功率处理也被好地改进。因此，实现更高的品质因子(q)意味着更低的电阻损耗，以及与现有已知方法相比更容易的后加工。此外，由于光滑的底电极120，在电介质层140中不存在台阶覆盖的问题。这产生了更高的电压和功率处理。图4示出根据本发明实施例的方法流程图。一种形成微结构100、200、300(例如参见图1至图3)的方法开始于步骤410。在步骤420中，具有顶表面111的硅衬底110被提供。在步骤430中，电极120被形成，其具有与衬底110的顶表面111平行的水平定向，其中电极120被嵌入在衬底110内，使得电极120的顶表面121与衬底110的顶表面111一致。在步骤440中，电极120的顶表面被抛光/极化。在步骤450中，电介质层140被形成在电极120的顶表面121上。在步骤460中。

高压瓷片电容器，就是以陶瓷材料为介质的电容器。高压瓷片电容器，一个主要的特点就是耐压高，2KV、3KV电压很常见。中文名高压瓷片电容器外文名Highvoltageceramapacitor原理以陶瓷材料为介质的电容器目录1基本概念▪简介▪适用范围2作用3潜在问题4优点高压瓷片电容器基本概念编辑高压瓷片电容器简介常用于高压场合。陶瓷有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大；II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好；III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好。瓷片电容器一般体积不大。另外，再强调一个重要特点：瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态。（这是它的弱点）而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态。高压瓷片电容器适用范围高压瓷片电容器的典型作用是可以消除高频干扰，广泛应用于负离子产品、激光、X光机、控测设备、高压包、点火器、发生器、变压器、电力设备、倍压模块、焊机、静电喷涂及其他需要高压高频的机电设备。[1]高压瓷片电容器作用编辑1、高压陶瓷电容具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗。串联电容器，串联于工频高压输、配电线路中，用以补偿线路的分布感抗。

    并联电容器无功功率补偿的三种方式在实际电力系统中，大部分负载为异步电动机。包括异步电动机在内的绝大部分电气设备的等效电路可看作电阻R与电感L串联的电路，其功率因数为（4-1）式中XL=ωL。给R、L电路并联接入C之后，电路如图4-1a所示。该电路的电流方程为（4-2）由图4-1b的相量图可知，并联电容U(?)与I(?)的相位差变小了,即供电回路的功率因数提高了。此时供电电流I(?)的相位滞后于电压U(?)，这种情况成为欠补偿。若电容C的容量过大，使得供电电流I(?)的相位超前于电压U(?)，这种情况称为过补偿，其相量图如图4-1c所示。通常不希望出现过补偿的情况，因为这会引起变压器二次电压的升高，而且容性无功功率在电力线路上传输同样会增加电能损耗。如果供电线路电压因此而升高，还会增大电容器本身的功率损耗，使温升增大，影响电容器的寿命。图4-1并联电容补偿无功功率的电路和相量图a)电路b)相量图（欠补偿）c)相量图（过补偿）来自：电工技术之家按电容器安装的位置不同，通常有三种方式。1、集中补偿电容器组集中装设在企业或地方总降压变电所的6～10kV母线上，用来提高整个变电所的功率因数，使该变电所的供电范围内无功功率基本平衡。可减少高压线路的无功损耗。按电解质分类：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器、电热电容器和空气介质电容器等。山东补偿电容器无功补偿谐波治理

按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。北京充气氮气电容器智能化&泛在物联网

铝合金外壳盖板,可触摸式接线端子内置压力切断防爆装置,安全可靠，底部为M12/M16的安装和接地螺栓。采用干式结构，符合较高的环保要求。螺栓出线方式，保证了接线的可靠稳定，满足大容量、大电流的要求；M6/M8铜螺栓，较大可连接25mm2电缆，带防触电保护罩。安全可靠的德式过压力防爆结构，内置式放电电阻，使得产品更安全，更可靠。长寿命、多元件设计，增加散热面积，使电容器的温升更低，延长电容器的使用寿命，平均寿命达到100,000小时。电容器元件用金属化薄膜采用特别的方阻设计，既有很高的自愈性能，又满足了高可靠性的接触和高耐压的要求。可用于电力系统提高功率因数；电机、变压器、工频电炉等感性设备的就地补偿；电力牵引机车以及UPS系统和电力系统谐波的滤除等各方面。北京充气氮气电容器智能化&泛在物联网

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