北京纳米银膏源头工厂

随着科技的进步，以SiC、GaN为主的宽禁带半导体材料具有高 击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密 度、高迁移率、可承受大功率等特点，非常适合 制作应用于高频、高压、高温等应用场合的功率模 块，且有助于电力电子系统的效率和功率密度的提升。功率密度的提高及器件小型化等因素使热量的 及时导出成为保证功率器件性能及可靠性的关键。作为界面散热的关键通道，功率模块封装结构中连 接层的高温可靠性和散热能力尤为重要，纳米银膏逐渐展现出其的优势。 纳米银烧结技术是一种利用纳米银膏在较低的温度下，加压或不加压实现的耐高温封装连接技术，烧结温度远低于块状银的熔点。纳米银膏中 有机成分在烧结过程中分解挥发，形成银连接层。纳米银烧结接头可以满足第三代半导体功率模块封装互连低温连接、高温服役的要求，在功率器件制造过程中已有大量应用 总的来说，纳米银膏作为一种创新的电子互连材料，在导热导电性能、高可靠性等方面都有优势。这些优势使得纳米银膏成为未来电子产业发展的重要趋势，推动功率器件向更高功率、更高性能、更高可靠性方向发展。通过不同的制备工艺，纳米银膏可被制成无压纳米银膏和有压纳米银膏，满足不同行业客户需求。北京纳米银膏源头工厂

纳米银膏作为我们公司的产品，纳米银膏中的银颗粒具有较大的表面能，可在较低温度下实现烧结，并表现出优异的导热导电性能、机械可靠性和耐高温性能同时具有高抗氧化性的优势；使其拥有比较广的应用范围且较传统钎料拥有产品优势。 应用范围： 电子行业：在半导体封装、LED照明、功率器件等方面，纳米银烧结技术可以提供高性能的连接解决方案，满足对导电、导热、可靠性的高要求。 新能源领域：在太阳能光伏、燃料电池等领域，纳米银烧结技术可以实现高效的热管理和电气连接，提高能源转换效率。 汽车行业：随着电动汽车、混合动力汽车的普及，对高性能电池连接技术的需求日益增长。纳米银烧结技术在电池模组、电池管理系统等方面发挥着重要作用。 航空航天：在卫星、火箭等高精尖领域，纳米银烧结技术具有优异的抗疲劳性能和稳定性，能够满足极端环境下的高性能要求。 我们的优势： 低温烧结、高温服役：200-250℃烧结，服役温度>500度 高导热导电性能：导热率>200W，电阻率<＜5.0×10-5Ωcm 高粘接强度：70>MPa（5mmx5mm）北京纳米银膏源头工厂纳米银膏的热膨胀系数较低，可以有效降低器件在封装中的应力集中现象，提高其可靠性。

纳米银膏是一种具有优异性能的导热导电材料，近年来在IGBT领域逐步应用，纳米银膏具有以下几个的优势： 1、高导电性：纳米银膏由纳米级别的银颗粒组成，其表面积大，能够提供更高的导电性能。这使得纳米银膏在IBGT中能够实现更高效的电流传输和更低的电阻，从而提高了器件的整体性能。 2、高导热性：纳米银膏热导率>200W，能够迅速将热量从IBGT芯片传导到散热器或散热片上。这有助于降低器件的工作温度，提高其稳定性和寿命。 3、高粘接强度：纳米银膏具有出色的附着力，有压纳米银膏粘接强度>70MPa，确保器件的可靠性和稳定性。 4、良好的施工性能：纳米银膏具有良好的可加工性，可以通过丝网印刷、点胶等工艺方法进行涂覆。 5、环保安全：纳米银膏不含铅，符合国际环保标准。 综上所述，纳米银膏在IBGT上的应用具有高导电性、优异的导热性、强附着力、良好的可加工性和环保安全等优势。这些优势使得纳米银膏成为IBGT制造和应用的理想选择，为IGBT行业的发展带来了新的机遇

纳米银膏在功率器件应用上的发展趋势及未来展望 在当今的电子设备领域，功率器件作为组件，对于设备的性能和稳定性起到至关重要的作用。纳米银膏，作为一种先进的材料解决方案，正逐渐在功率器件制造中发挥关键作用。 一、纳米银膏在功率器件中的应用现状 纳米银膏由于高导热导电性能及高可靠性，已成为功率器件制造中的重要材料。目前，纳米银膏已比较广应用于各类功率器件中，如航空航天和雷达的微波射频器件、通信网络基站、大型服务器以及新能源汽车电源模块为的半导体器件等。 二、纳米银膏在功率器件中的发展趋势及方向 在封装领域，随着功率半导体的兴起，尤其是第三代半导体材料如 SiC 和 GaN 出现，功率器件具有高击穿电压、高饱和载流子迁移率、高热稳定性、高热导率和高温服役场合等特点.；因此，对封装材料提出了低温连接、高温服役、优良的热疲劳抗性、高导电导热性的要求；未来纳米银膏，更加注重提升导热导电、耐高温性，以满足更高功率和更高效能功率器件的需求。纳米银膏材料可以提高功率器件的稳定性和可靠性，满足电动汽车对电力电子器件的严苛要求。

纳米银膏在半导体激光器中的应用主要体现在其高热导性，这有助于提高激光器的散热效果，进而降低由温度引起的波长漂移等现象，从而提高了激光器的性能和稳定性。与传统的锡基和铟基焊料相比，纳米银膏的优势在于其更高的热导性和更低的电阻率。 首先，纳米银膏的烧结工艺可以提升射频带宽，并允许降低引脚间距，这一点对于提高半导体激光器的性能至关重要。其次，纳米银膏的高热传导性能使得激光器能够更有效地散热，这对于解决由于热量产生而引发的波长红移、效率降低、功率降低、阈值电流增大等问题十分有利。因此，纳米银膏在半导体激光器中的应用都具有优势。 纳米银膏的价格比金锡焊料更低，可以降低生产成本。浙江高导热纳米银膏

纳米银膏是一款低温烧结焊料。北京纳米银膏源头工厂

纳米银膏在SIC/GaN功率器件上应用背景 功率器件发展迅速并被比较广运用，其设计与制造朝着高频开关速率、高功率密度、高结温等方向发展，尤其是第三代半导体SiC/GaN材料的出现，相对于传统的Si基材料，第三代半导体有着高结温 、低导通电阻、高临界击穿场强、高开关频率等性能优势。在常规封装的功率开关器件中，芯片底部的互连一般采用钎焊工艺，考虑到无铅化的要求，所选择的焊料熔点都低于250 ℃，如常用的 SnAgCu 系和 SnSb 系焊料等，因此不能充分发挥SiC/GaN芯片的高耐温性能。此外，焊料在界面处极易产生脆硬的金属间化合物，给产品的可靠性带来了新的挑战。目前，纳米银烧结技术是一种有效解决方案，银因其熔点高达961 ℃，将其作为连接材料能极大提高器件封装结构的温度耐受性，且纳米银的烧结温度却低于250℃，使用远低于熔点的烧结温度就能得到较为致密的组织结构，烧结后的银层耐热温度高，连接强度高，导热、导电性能良好北京纳米银膏源头工厂

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