北京氮化铝陶瓷厂商

通过瓷料配方设计掺杂降低瓷体烧结温度

氧化铝陶瓷的烧结温度主要由其化学组成中氧化铝的含量来决定，氧化铝含量越高，瓷料的烧结温度越高，除此之外，还与瓷料组成系统、各组成配比以及添加物种类有关。因此，在保证瓷体满足产品使用目的和技术要求的前提下，我们可以通过配方设计，选择合理的瓷料系统，加入适当的助烧添加剂，使氧化铝陶瓷的烧结温度尽可能降低。

目前配方设计中所加入的各种添加剂，根据其促进氧化铝陶瓷烧结的作用机理不同，可以将它们分为形成新相或固溶体的添加剂和生成液相的添加剂二大类。 氮化硅陶瓷主要组成物是Si3N4,这是一种高温强度高、高硬度、耐磨、耐腐蚀并能自润滑的高温陶瓷。北京氮化铝陶瓷厂商

纺织陶瓷textile ceratnie、又称纺织瓷用陶瓷材料制 作的各类导丝件(如导丝钩、导丝义、导丝管、导丝环、导丝块 等)、瓷质细腻、硬度高、耐磨性好、丑一作面光滑、对纤维摩擦 系数小。

其材质一般为硬质瓷、高铝瓷、刚玉瓷、铬刚玉或人 造蓝宝石等，如J}}于高速转动场合因产生静电作川会使纤维 牛成毛疵，则采用导屯性好的金红石I'f'iC)} 1瓷和氧化浩 {Ir( h)陶瓷替代。成型力一法大都采用热压铸法近来也有采 用注塑成型和等静压成型新工一艺的。已住天然纤维.合成纤 维及玻璃纤维生产中得到广泛应用。 北京氮化铝陶瓷厂商陶瓷材料还有独特的光学性能,可用作固体激光器材料、光导纤维材料、光储存器等。

HTCC（Hight-Temperature Co-fired Ceramic)

HTCC 又称为高温共烧多层陶瓷，生产制造过程与LTCC极为相似，主要的差异点在于HTCC的陶瓷粉末并无玻璃材质，因此，HTCC必须在高温1200~1600°C环境下干燥硬化成生胚，接着同样钻上导通孔，以网版印刷技术填孔于印制线路，因其共烧温度较高，使得金属导体材料的选择受限，其主要的材料为熔点较高但导电性却较差的钨、钼、锰…等金属，***再叠层烧结成型。

DBC（Direct Bonded Copper)

DBC 直接接合铜基板，将高绝缘性的AL2O3或AIN陶瓷基板的单面或双面覆上铜金属后，经由高温1065~1085°C的环境加热，使铜金属因高温氧化，扩撒与AL2O3材质产生（Eutectic）共晶熔体，是铜金属陶瓷基板粘合，形陶瓷复合金属基板，***依据线路设计，以蚀刻方式备至线路。

    氮化铝陶瓷性能：常压下的升华分解温度为2450C。为一种高温耐热材料。热膨胀系数（）x10-6c。多晶AIN热导率达260W/（）比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200C的极热，此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。优缺点：（1）热导率高（约320/）接近Beo和sic，是A1203的5倍以上。（2）热膨胀系数（）与si（）和（6x10-6c）匹配；（3）各种电性能（介电常数，介质损耗、体电阻率、介电强度）优良；（4）机械性能好，康折强度高于A1203和Beo陶瓷，可以常压烧结；（5）光传输特性好（6）***应用：1、氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料2、氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。3、氮化铝硬度高，超过传统氧化铝，是新型的耐磨陶瓷材料，但由于造价高，只能用于磨损严重的部位。4、利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚，AI蒸发器，磁流体发电器装置及高温透平机耐蚀部件，利用其光学性能可作红外线窗口，氮化铝薄膜可成。高频压电元件。 陶瓷材料，其电阻高，高频特性突出，具有热导率高、化学稳定性佳、热稳定性和熔点高等优点。

结构陶瓷的应用

结构陶瓷主要是指发挥其机械、热、化学等性能的一大类新型陶瓷材料，它可以在许多苛刻的工作环境下服役，因而成为许多新兴科学技术得以实现的关键。

空间技术领域

在空间技术领域，制造宇宙飞船需要能承受高温和温度急变、强度高、重量轻且长寿的结构材料和防护材料，在这方面，结构陶瓷占有***优势。从***艘宇宙飞船即开始使用高温与低温的隔热瓦，碳-石英复合烧蚀材料已成功地应用于发射和回收人造地球卫星。未来空间技术的发展将更加依赖于新型结构材料的应用，在这方面结构陶瓷尤其是陶瓷基复合材料和碳/碳复合材料远远优于其他材料。

高新技术的应用是现代***制胜的法宝。在***工业的发展方面，高性能结构陶瓷占有举足轻重的作用。例如先进的亚音速飞机，其成败就取决于具有高韧性和高可靠性的结构陶瓷和纤维补强的陶瓷基复合材料的应用。 纺织陶瓷抗震动、冲击、颠簸性能优良。河北氮化硅陶瓷加工

陶瓷材料 (si3N4) 具有低密度、中等弹性模量、热膨胀系数小等优点。北京氮化铝陶瓷厂商

    基板在我国的开展已有很长一段时间的前史，基板类型一直在不断应需增加，传统的基板包含了纤维基板、FR-4、铝基板、铜基板等类型。随着工业要求的提升、细化，遭到热耗散和热胀大系数匹配性等方面的限制，当传统的基板性能难以满足新需求时，人们不得不开始寻求替代品，在寻求的过程中根据林林总总的需求自然会对各种基板进行比照，择优而购。作为比较好挑选，采用了LAM技术（激光快速活化金属化技术Laserhigh-peedactivationmetallization）的氮化铝陶瓷基板让金属层与陶瓷之间结合得更严密，金属层与陶瓷之间结合强度高，比较大能够到达45，Pa（大于1mm厚陶瓷片自身的强度）。使氮化铝基板具有更牢、更低阻的金属膜层，导电层厚度在1μm～1mm内还可恣意定制。比较传统陶瓷基板，铝基基板的热导率是1～2W/mk，尽管铜自身的导热率到达了，但绝缘层的导热率只要，好一点的能到达。而氮化铝陶瓷基板具有更高的热导率，数据为170～230W/。举例来说热胀大系数（CTE）。在LED照明领域，主流基板CTE平均导热率为14~17ppm/C，而硅芯片的CTE为6ppm/C，在温差过大、温度剧变的情况下，PCB会比芯片封片封装胀大得更剧烈，导致脱焊问题。在这种困扰之下。 北京氮化铝陶瓷厂商

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